离子束溅射镀膜
PECVD(等离子增强化学气相沉积)是一种在基材表面沉积薄膜的技术。
其原理主要包括以下步骤:
1.气体前驱体的引入:将特定的气体前驱体(如硅烷、氨等)引入反应腔内,这些气体在适当的条件下分解形成固体薄膜。
2、等离子体的产生:在反应室内施加高频电场或直流电场,产生等离子体,激发气体分子,使气体分子电离,产生带电粒子(电子、离子等)和中性粒子。
3、化学反应:在等离子体作用下,气体前驱体分解成活性物质(如原子、分子等),在基体表面发生反应,形成薄膜。由于等离子体的存在,反应速率通常较高,且能在较低温度下沉积,适用于热敏性材料。
4.薄膜沉积:活性物质在基片表面聚集并发生化学反应形成固体薄膜。沉积过程中,温度、压力、气体流量等参数的调节可影响薄膜的质量和性能。
5.薄膜特性调控:通过改变前驱体种类、流量、反应压强及等离子体功率等,可实现不同类型的薄膜沉积,如氮化硅、氧化硅等,调控其电学、光学和力学性能。
PECVD广泛应用于半导体、光电器件、太阳能电池等领域,因其薄膜质量和沉积条件方面的优势而受到重视。