ALD
原子层沉积 (ALD) 是一种基于高精度化学气相沉积 (CVD) 的工艺。薄膜沉积技术这是一种基于化学气相在基材表面上逐层沉积单原子膜材料的技术。将两种或多种前体化学品逐一引入基材表面，每种化学品均含有被沉积材料的不同元素。每种前体都会浸透基材表面，形成单层材料。
ALD的生长原理与传统的化学气相沉积（CVD）类似，但在ALD中，反应前驱体在沉积过程中交替沉积，新层原子的化学反应与前一层直接相关，每次反应只沉积一层原子。具有自限生长特性，使薄膜可以保形地、无针孔地沉积到基片上。因此可以控制沉积循环次数，实现对薄膜厚度的精确控制。
原子层沉积技术特点及优势
精度高。通过控制反应周期可以方便、精确地控制基片的厚度，薄膜厚度可以精确到原子的厚度。
Deutsch
Espanol
Francais
Italiano
Portugues
日本語
한국어
Arabic
Russian
Indonesian
Vietnamese关注我们
